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電光に対するEN 62305の保護
最新の会社ニュース 電光に対するEN 62305の保護

とりわけEN 62305の標準シリーズ保護を構造、内容、人および家畜に電光に対してカバーするため。

 

私達がEN 62305-4を通して標準の重要部分電子および電気システムのためのLEMP (電光電磁石の衝動)の保護をするエレクトロニクス時代に今住んでいることをEN 62305は受け入れる。LEMPは行なわれたサージを含む電光の全面的な電磁石の効果に、与えられる言葉(一時的な過電圧および流れ)で、電磁場の効果を放射した。

 

EN 62305 – 4つは損傷の損傷、タイプおよび損失のタイプのもとを分類する。

 

損傷のもと

 

電光によって与えることができる損害はに細分される:
•構造への損傷(構造に接続されるを含むすべての入って来る電気間接費および埋められたライン)
•サービス(テレコミュニケーション、データ、電気供給、水、ガスおよび燃料流通ネットワークの部分であるサービスこの場合)への損傷。

 

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タイプの損傷
 
損傷の各もとは3つのタイプの損傷の1つ以上で起因するかもしれない。次の通り可能なタイプの損傷は識別される:
歩み、電圧に触れること当然の人または家畜のD1の傷害
スパークを含む電光現在の効果によるD2の物理的な損傷(火、爆発、機械破壊、化学解放)
電光電磁石の衝動(LEMP)による内部システムのD3の失敗。
 
タイプの損失
 
次のタイプの損失は電光による損傷に起因するかもしれない:
人命のL1の損失
公衆へのサービスのL2の損失
文化遺産のL3の損失
経済的価値のL4の損失
 
上記の変数すべての関係:
殴打のポイント 損傷のもと タイプの損傷 タイプの損失
構造 S1

D1

D2

D3

L1、L4 **

L1、L2、L3、L4

L1*、L2、L4

構造の近く S2 D3 L1*、L2、L4
構造に接続されるサービス S3

D1

D2

D3

L1、L4 **

L1、L2、L3、L4

L1*、L2、L4

サービスの近く S4 D3 L1*、L2、L4

*のための爆発の危険の構造だけと病院または内部システムの失敗がすぐに人命を危険にさらす他の構造。
**動物が失われるかもしれない特性のためにだけ。

 

LEMPの損傷はどの保護がに対して提供されるべきで、すべての殴打ポイントから直接か間接構造か接続されたサービスに–起こることができるか特定のタイプ(D3)の1つとして識別されるほど流行する。この延長アプローチはまた構造に、例えば力接続される、サービス電気通信および他の金属ラインと関連付けられる火災や爆発の危険を考慮に入れる。

 

構造電光保護があるかどうかすべての殴打ポイントからの電光、構造か接続されたサービスへの直接または間接が、トランジェントからの危険を作成すること一時的な過電圧/サージの保護からの構造電光保護がもはや分離で考慮されなければならない与えられて、SPDが保護の重大な平均であることEN 62305はそれを明確にさせ。

 

流れおよび電圧波形

 

EN 62305は一時的な過電圧を使用して金属サービス ライン(普通力、信号および電気通信ライン)の保護手段をまたは両方の直接落雷に対してサージの防御装置(SPD)確かめる、また共通間接落雷および切換えトランジェント。EN 61643のシリーズのような標準はSPD定義する(、また電光保護部品)の信頼でき、反復可能なテストを可能にするために電光流れおよび電圧の特徴を。これらの波形が実際のトランジェントと異なるかもしれないが標準化された形態は観察の年におよび測定基づいている(および時としてシミュレーション)。一般にそれらは現実の世界のトランジェントの公平な近似を提供する。

 

一時的な波形に急上昇の端および長い尾がある。それらはピーク値によって(か大きさ)、上昇時間および持続期間記述されている(または落下時間)。持続期間はピーク値半分のに腐るためにかけられるテスト トランジェントのための時間として測定される。

 

図は下の本管、信号および電気通信ラインのためにSPDをテストするのに使用されている共通の流れおよび電圧波形を説明する。

 

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直接殴打

 

直接電光は構造電光保護システムが付いている構造が直接殴打(源S1を受け取る)システムにまたはどこで電光が直接頭上式のサービス ライン(源S3)を打つか10/350μs波形の部分的な電光流れを注入できる。

 

間接殴打

 

構造(源S2)の近くのまたは1kmまで半径の構造(源S4)への接続されたサービスの近くの遠隔か間接電光フラッシュは(そしてそれ故にずっと共通) 8/20μs波形によって表される。直接電光フラッシュおよび転換の源からの引き起こされたサージはまたこの波形によって表される。大いにより短い腐食によってまたは時間10/350μs波形に関連して落下ために、8/20μs波形はより少ないエネルギーを(同等のピーク電流のために)かなり示したりしかし電気および電子機器を傷つけるには十分にまだ破壊的である。

 

電光電磁石の衝動(LEMP)による内部システム(損傷のタイプD3)の失敗が殴打のすべてのポイントから直接か間接構造かサービスに可能–であることをEN 62305-1は確認する(すべての源:S1、S2、S3およびS4)。

 

サージの保護手段(SPM)

 

EN 62305-4は電光および電気切換えによって引き起こされる一時的な過電圧の厳格を最小にするいくつかの手段を記述する。

 

キーおよび基本的な保護手段は次のとおりである:
•接地および結合
•電磁石旅程保護およびライン
•調整されたサージの回線保護装置

 

付加的な保護手段を下記のものを含んでいる促進しなさい:
•構造LPへの延長
•装置位置
•光ファイバケーブル(分離による保護)の使用

 

またSPMsは中作動し、それらが温度、湿気、振動、電圧および流れのような要因を考えるとある環境に抗しなければならないために。

 

最も適したSPMの選択は技術的で、経済的要因を考慮に入れるEN 62305-2に従って危険性評価を使用してなされる。例えば、それは実用的ではないかもしれないまたは費用効果が大きい既存の構造の電磁石保護の手段を実行するためにそう調整されたSPDの使用はより適するかもしれない。理想的にはSPDはプロジェクト設計の段階で最もよくまた既存の取付けに容易に取付けることができるが、組み込まれる。

 

直接殴打の場合にクリティカル・システムの連続操作を保障してが、SPDは必要であり、これらはEN 62305-4内の電光保護地帯(LPZ)の概念を使用してサージおよび強度のもとに基づいて適切に、配置されなければならない。

 

電光保護地帯(LPZ)の概念

 

LEMPに対する保護はいくつかの地帯にLEMPによって提起される脅威のレベルに従って疑わしい構造を分ける電光保護地帯(LPZ)の概念に基づいている。一般的な考えは識別するか、または電光の効果一部またはすべてへのより少ない露出作成しの、地帯の内に取付けられている電気か電子機器の免除の特徴とのこれらをである構造内の地帯を調整すること。連続的な地帯はSPDの結ぶか、保護するか、または使用の結果としてLEMPの厳格の重要な減少によって特徴付けられる。

 

外的な地帯:

 

•従ってLPZ 0Aは直接雷撃に応じて区域、完全な電光流れに運ばなければならないかもしれない。これは構造電光保護なしに普通構造の屋根区域である。完全な電磁場はここに起こる。
•LPZ 0Bは直接雷撃に応じて区域ない、普通構造電光保護の構造または屋根のサイドウォールである。但し完全な電磁場はまだここに起こり、部分的行なったまたは引き起こされた電光流れおよび転換のサージはここに起こることができる。

 

内部地帯:

 

•LPZ 1は部分的な電光流れに応じてある内部区域である。適した保護の手段が用いられれば行なわれた電光流れや転換のサージは外的な地帯LPZ 0A、LPZ 0Bと比較されて同様にである電磁場減る。これは普通サービスが構造を書き入れるまたはところに主力の配電盤が取付けられる区域である。
•LPZ 2は電光衝撃電流や転換のサージの残りがLPZ 1.と比較されて減る構造の中に更にある内部区域である。同様に電磁場は更に適した保護の手段が用いられれば減る。これは副配分板区域に普通主力のための選別された部屋または、である。

 

パブの時間 : 2021-08-11 15:43:25 >> ニュースのリスト
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